國(guó)產(chǎn)變頻器高端領(lǐng)域缺乏 高壓電力輸送受制約

　　工控摘要：隨著我國(guó)電力系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)的不斷發(fā)展，在建或已批準(zhǔn)電力計(jì)劃的不斷增多，其與電力行業(yè)相關(guān)產(chǎn)業(yè)也隨之迅速發(fā)展起來(lái)。
　　
　　從相關(guān)數(shù)據(jù)來(lái)看，我國(guó)變頻調(diào)速技術(shù)起步較晚，比歐美、日本等發(fā)到國(guó)家晚了10至15年。不過(guò)，有專家認(rèn)為，由于目前中高端變頻器市場(chǎng)應(yīng)用主要被歐美、日本品牌占據(jù)，從長(zhǎng)期發(fā)展趨勢(shì)來(lái)講，有近80%的進(jìn)口替代空間，中低壓將是變頻器未來(lái)爭(zhēng)奪的主戰(zhàn)場(chǎng)。
　　
　　同時(shí)，2011年，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中低壓變頻器供不應(yīng)求，第一次出現(xiàn)比高壓變頻器增速快的現(xiàn)象，高壓變頻器則競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)一步加劇。“通常，中低壓變頻器的市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)在10%-15%的水平，但2011年的增速首次超過(guò)了高壓變頻器，達(dá)到了30%的加速發(fā)展”，業(yè)內(nèi)人士稱。
　　

 
　　近年來(lái)，隨著變頻器行業(yè)的發(fā)展，變頻器的核心電子器件也從最初的SCR(晶閘管)、GTO(門極可關(guān)斷晶閘管)，經(jīng)過(guò)BJT(雙極型功率晶體管)、SITH(靜電感應(yīng)晶閘管)、MGT(MOS控制晶體管)、MCT(MOS控制晶閘管)，發(fā)展到今天的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、HVIGBT(耐高壓絕緣柵雙極型晶閘管)，器件的更新促使變頻器的應(yīng)用領(lǐng)域更為廣泛，市場(chǎng)規(guī)模隨之迅速擴(kuò)大。IGBT屬微電子產(chǎn)品，目前國(guó)內(nèi)在該領(lǐng)域技術(shù)相對(duì)落后，國(guó)內(nèi)變頻器企業(yè)普遍采用德國(guó)和日本的進(jìn)口產(chǎn)品。中、低壓變頻器生產(chǎn)所需的IGBT，也只有少數(shù)國(guó)內(nèi)企業(yè)可以供應(yīng)。
　　
　　“未來(lái)，變頻器市場(chǎng)的爭(zhēng)奪比拼的就是IGBT等核心器件的研制能力。這是國(guó)內(nèi)努力在IGBT上需求突破的原因。”有關(guān)人士指出。
　　
　　現(xiàn)在，隨著2012下半年，國(guó)家密集公布批準(zhǔn)的輸變電建設(shè)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在未來(lái)幾年中我國(guó)的電力相關(guān)行業(yè)都將進(jìn)入到一個(gè)較快的發(fā)展時(shí)期，在這期間，雖然高中低三檔的變頻器需求都將大增，但我們還是需要通過(guò)消費(fèi)業(yè)績(jī)來(lái)反哺科研投入，以加強(qiáng)在相關(guān)領(lǐng)域的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。